Savunma Sanayii Müsteşarı Murad Bayar, ilk olarak savunma teknolojileri alanında kullanılmaya başlanan Galyum Nitrat (GaN) maddesinin Türkiye'deki geliştirme çalışmalarına ilişkin, ''Radar alanında en kritik teknolojiyi kazanıyoruz'' dedi. ASELSAN ile Bilkent Üniversitesi Nanoteknoloji Araştırma Merkezi (NANOTAM) arasında ''Galyum Nitrat (GaN) Transistör ve Tümleşik Devre Yapımı İçin İleri Teknoloji Yatırımı'' konusunda mutabakat muhtırası törenle imzalandı. Törende konuşan Bayar, ASELSAN ile birlikte sistem mühendisliğinin tasarım ve modüle kadar yol aldığını, şimdi de malzeme üretimine geçileceğini söyledi. Bayar, bu teknolojinin radar üretiminde kullanılacağını belirterek, ''Radar alanında en kritik teknolojiyi kazanıyoruz'' dedi. ASELSAN Genel Müdürü Cengiz Ergeneman da radar gibi gelişmiş sistemleri Türkiye'nin üretmesi, başka ülkelere bağlı kalınmaması için bu ürünlerin geliştirilmesi gerektiğini ifade etti. ASELSAN Radar Elektronik Harp ve İstihbarat Sistemleri (REHİS) Grubu Tasarım Direktörü Oğuz Şener de Türkiye'de GaN üretim altyapısı kurma ve geliştirme sürecinin 2014'te tamamlanacağına dikkati çekerek, yeni nesil milli radarlarda kullanılacak ilk GaN transistörlerinin üretiminin 2016 yılında gerçekleştirileceğini bildirdi.
